快科技6月8日消息，國產(chǎn)光刻光芯璞璘科技近日向深圳力策科技正式交付型號為PL-AS的新突半導(dǎo)體級真空氣壓式納米壓印光刻機。該設(shè)備是破國片納國內(nèi)首款光芯片專用納米壓印光刻設(shè)備，實現(xiàn)了國產(chǎn)光刻領(lǐng)域新突破。首臺

此次交付的米壓設(shè)備型號為PL-AS真空氣壓式納米壓印光刻機，全程繞開深紫外光刻路線，印光實現(xiàn)8英寸光芯片晶圓規(guī)?；慨a(chǎn)?？虣C

該半導(dǎo)體級設(shè)備線寬分辨率小于10nm，晶圓整面壓印壓力均勻性誤差低于 0.5%，交付同時支持無殘余層壓印工藝。國產(chǎn)光刻光芯

設(shè)備采用面接觸氣壓工作模式，新突晶圓各區(qū)域受力均勻，破國片納可將殘余層厚度偏差控制在2nm以內(nèi)，首臺適配光芯片生產(chǎn)要求。米壓

對比輥壓工藝，印光該方案規(guī)避線接觸帶來的形變問題；相較步進式設(shè)備，全域壓印模式大幅提升量產(chǎn)效率。

它可實現(xiàn)跨尺度微納結(jié)構(gòu)一次成型，省去多道復(fù)雜光刻工序，在簡化流程的同時保障產(chǎn)品生產(chǎn)良率。

本次合作聚焦激光雷達芯片量產(chǎn)，助力力策科技旗下光學(xué)相控陣芯片，面向車載、智能終端市場規(guī)?；涞?。

技術(shù)層面，通過8英寸規(guī)?；慨a(chǎn)驗證，證實了國產(chǎn)納米壓印可在光芯片制造中穩(wěn)定替代DUV工藝。

整套方案搭配定制雙層壓印膠材料體系，芯片制造成本壓縮至傳統(tǒng)DUV方案的十分之一。

目前這套納米壓印方案，已在光通訊化合物芯片、硅光環(huán)形導(dǎo)光結(jié)構(gòu)芯片領(lǐng)域完成量產(chǎn)驗證。