快科技6月8日消息，國產光刻光芯璞璘科技近日向深圳力策科技正式交付型號為PL-AS的新突半導體級真空氣壓式納米壓印光刻機。該設備是破國片納國內首款光芯片專用納米壓印光刻設備，實現(xiàn)了國產光刻領域新突破。首臺

此次交付的米壓設備型號為PL-AS真空氣壓式納米壓印光刻機，全程繞開深紫外光刻路線，印光實現(xiàn)8英寸光芯片晶圓規(guī)?；慨a。刻機

該半導體級設備線寬分辨率小于10nm，晶圓整面壓印壓力均勻性誤差低于 0.5%，交付同時支持無殘余層壓印工藝。國產光刻光芯

設備采用面接觸氣壓工作模式，新突晶圓各區(qū)域受力均勻，破國片納可將殘余層厚度偏差控制在2nm以內，首臺適配光芯片生產要求。米壓

對比輥壓工藝，印光該方案規(guī)避線接觸帶來的形變問題；相較步進式設備，全域壓印模式大幅提升量產效率。

它可實現(xiàn)跨尺度微納結構一次成型，省去多道復雜光刻工序，在簡化流程的同時保障產品生產良率。

本次合作聚焦激光雷達芯片量產，助力力策科技旗下光學相控陣芯片，面向車載、智能終端市場規(guī)?；涞亍?/p>

技術層面，通過8英寸規(guī)?；慨a驗證，證實了國產納米壓印可在光芯片制造中穩(wěn)定替代DUV工藝。

整套方案搭配定制雙層壓印膠材料體系，芯片制造成本壓縮至傳統(tǒng)DUV方案的十分之一。

目前這套納米壓印方案，已在光通訊化合物芯片、硅光環(huán)形導光結構芯片領域完成量產驗證。