訓(xùn)練方法核心
快科技6月8日消息，國(guó)產(chǎn)光刻光芯璞璘科技近日向深圳力策科技正式交付型號(hào)為PL-AS的新突半導(dǎo)體級(jí)真空氣壓式納米壓印光刻機(jī)。該設(shè)備是破國(guó)片納國(guó)內(nèi)首款光芯片專(zhuān)用納米壓印光刻設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)光刻領(lǐng)域新突破。首臺(tái)
此次交付的米壓設(shè)備型號(hào)為PL-AS真空氣壓式納米壓印光刻機(jī)，全程繞開(kāi)深紫外光刻路線(xiàn)，印光實(shí)現(xiàn)8英寸光芯片晶圓規(guī)?；慨a(chǎn)?？虣C(jī)
該半導(dǎo)體級(jí)設(shè)備線(xiàn)寬分辨率小于10nm，晶圓整面壓印壓力均勻性誤差低于 0.5%，交付同時(shí)支持無(wú)殘余層壓印工藝。國(guó)產(chǎn)光刻光芯
設(shè)備采用面接觸氣壓工作模式，新突晶圓各區(qū)域受力均勻，破國(guó)片納可將殘余層厚度偏差控制在2nm以?xún)?nèi)，首臺(tái)適配光芯片生產(chǎn)要求。米壓
對(duì)比輥壓工藝，印光該方案規(guī)避線(xiàn)接觸帶來(lái)的形變問(wèn)題；相較步進(jìn)式設(shè)備，全域壓印模式大幅提升量產(chǎn)效率。
它可實(shí)現(xiàn)跨尺度微納結(jié)構(gòu)一次成型，省去多道復(fù)雜光刻工序，在簡(jiǎn)化流程的同時(shí)保障產(chǎn)品生產(chǎn)良率。
本次合作聚焦激光雷達(dá)芯片量產(chǎn)，助力力策科技旗下光學(xué)相控陣芯片，面向車(chē)載、智能終端市場(chǎng)規(guī)?；涞?。
技術(shù)層面，通過(guò)8英寸規(guī)?；慨a(chǎn)驗(yàn)證，證實(shí)了國(guó)產(chǎn)納米壓印可在光芯片制造中穩(wěn)定替代DUV工藝。
整套方案搭配定制雙層壓印膠材料體系，芯片制造成本壓縮至傳統(tǒng)DUV方案的十分之一。
目前這套納米壓印方案，已在光通訊化合物芯片、硅光環(huán)形導(dǎo)光結(jié)構(gòu)芯片領(lǐng)域完成量產(chǎn)驗(yàn)證。
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